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L6569AD013TR、L6571B、IR2151SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6569AD013TR L6571B IR2151SPBF

描述 L6569 系列 双 175 mA 120 Ohm 表面贴装 半桥 振荡器 驱动器 - SOIC-8了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATORDriver 600V 0.25A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.6V (max) 16.6V (max) 12.0V (min)

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 275 mA 210 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

频率 0.2 MHz - 0.106 MHz

供电电流 25.0 mA - -

针脚数 8 - -

输出电压 - - 600 V

耗散功率 - - 0.625 W

产品系列 - - IR2151S

上升时间 - - 120 ns

下降时间 - - 70 ns

下降时间(Max) - - 70 ns

上升时间(Max) - - 120 ns

耗散功率(Max) - - 625 mW

高度 - 3.32 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -