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L6571B

了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR

半桥 栅极驱动器 IC RC 输入电路 8-迷你型 DIP


得捷:
IC DRVR HALF BRG HV OSC 8MINIDIP


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:170mA 拉:270mA


贸泽:
Gate Drivers Hi Vltg HALF BRIDGE DRIVER


艾睿:
Driver 600V 0.275A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin Mini-PDIP


Win Source:
IC DRVR HALF BRG HV OSC 8MINIDIP


L6571B中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 16.6V max

输出接口数 2

输出电流 275 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V

电源电压Max 16.6 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

高度 3.32 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

L6571B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
L6571B ST Microelectronics 意法半导体 了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR 搜索库存
替代型号L6571B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6571B

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: Through 16.6V 8Pin

当前型号

了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR

当前型号

型号: L6569AD

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 16.6V 8Pin

完全替代

STMICROELECTRONICS  L6569AD  双功率芯片, 半桥+振荡器, 10V-16.6V电源, 270mA输出, 延迟, SOIC-8

L6571B和L6569AD的区别

型号: L6569D

品牌: 意法半导体

封装: SO-8 16.6V

完全替代

L6569 系列 双通道 175 mA 120 Ω 半桥 振荡器驱动器 - SOIC-8

L6571B和L6569D的区别

型号: L6569AD013TR

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 16.6V 8Pin

完全替代

L6569 系列 双 175 mA 120 Ohm 表面贴装 半桥 振荡器 驱动器 - SOIC-8

L6571B和L6569AD013TR的区别