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IPB100N10S3-05、IPB100N10S305ATMA1、IPB05CN10NG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB100N10S3-05 IPB100N10S305ATMA1 IPB05CN10NG

描述 INFINEON  IPB100N10S3-05  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPB100N10S305ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS?2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 D2PAK

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 300 W

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.004 Ω 0.004 Ω -

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100A -

上升时间 17 ns 17 ns -

输入电容(Ciss) 11570pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -

额定功率(Max) 300 W - -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 D2PAK

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -