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IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB100N10S305ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3


立创商城:
N沟道 100V 100A


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S305ATMA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_100+


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V


IPB100N10S305ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 8900pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 48V DC/DC, 照明, 车用, Power Management, Lighting, Automotive, 电源管理, 48V inverter, Power Management, Automotive, HID lighting

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB100N10S305ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB100N10S305ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPB100N10S305ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB100N10S305ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPB100N10S305ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB100N10S305ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 100A

当前型号

INFINEON  IPB100N10S305ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPB100N10S3-05

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel 100V 100A

功能相似

INFINEON  IPB100N10S3-05  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V

IPB100N10S305ATMA1和IPB100N10S3-05的区别