TD62002P、ULN2002D1、ULN2002D1013TR对比区别

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型号 TD62002P ULN2002D1 ULN2002D1013TR

描述 PDIP NPN 35V 0.5A七达林顿阵列 Seven darlington arraySTMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 PDIP SO SOIC-16

引脚数 - - 16

极性 NPN NPN NPN

输入电容 - 15.0 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 500 mA

输出电压 - - 50 V

输出电流 - - 500 mA

针脚数 - - 16

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

输入电压 - - 3 V

封装 PDIP SO SOIC-16

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - - EAR99