锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ULN2002D1013TR

ULN2002D1013TR

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

复合阵列,STMicroelectronics

达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。


欧时:
STMicroelectronics ULN2002D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装


得捷:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO


立创商城:
ULN2002D1013TR


贸泽:
达林顿晶体管 Seven NPN Array


艾睿:
Amplify your current using STMicroelectronics&s; NPN ULN2002D1013TR Darlington transistor in order to yield a higher current gain. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 0.5 A, while its minimum DC current gain is 1000@350mA@2 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V.


安富利:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SO T/R


富昌:
ULN 系列 50 V 500 mA 表面贴装 七 达林顿 阵列 - SOIC-16


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SO T/R


Verical:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SO N T/R


儒卓力:
**7x DARL ARR 0,5A 50V SO16 **


DeviceMart:
IC ARRAYS SEVEN DARL 16 SOIC


ULN2002D1013TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

输出电压 50 V

输出电流 500 mA

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

输入电压 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULN2002D1013TR引脚图与封装图
ULN2002D1013TR引脚图

ULN2002D1013TR引脚图

ULN2002D1013TR封装图

ULN2002D1013TR封装图

ULN2002D1013TR电路图

ULN2002D1013TR电路图

ULN2002D1013TR封装焊盘图

ULN2002D1013TR封装焊盘图

在线购买ULN2002D1013TR
型号 制造商 描述 购买
ULN2002D1013TR ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC 搜索库存
替代型号ULN2002D1013TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ULN2002D1013TR

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC NPN 50V 500mA

当前型号

STMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

当前型号

型号: ULQ2003ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V

ULN2002D1013TR和ULQ2003ADR的区别

型号: ULN2003ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

ULN2002D1013TR和ULN2003ADR的区别

型号: MC1413BDR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC NPN 50V 500mA

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列

ULN2002D1013TR和MC1413BDR2G的区别