FQP8N80C、STP5NK80Z、STP8NK80Z对比区别

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型号 FQP8N80C STP5NK80Z STP8NK80Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP8N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 8.00 A 4.30 A 6.20 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.29 Ω 1.9 Ω 1.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 178 W 110 W 140 W

阈值电压 5 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 4.30 A 6.20 A

上升时间 110 ns 25 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 178 W 110 W 140 W

下降时间 70 ns 30 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 178W (Tc) 110000 mW 140W (Tc)

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

长度 10.1 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.4 mm 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -