FQP8N80C
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Fairchild
飞兆/仙童
晶体管
FQP8N80C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 178 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 178 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 178W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP8N80C引脚图与封装图
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在线购买FQP8N80C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP8N80C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQP8N80C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP8N80C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 800V 8A 1.55ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP8N80C和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP5NK80Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 800V 4.3A 2.4Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP8N80C和STP5NK80Z的区别 |
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