SI4410DYTRPBF、SI4410DY,518、SI4410DY对比区别

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型号 SI4410DYTRPBF SI4410DY,518 SI4410DY

描述 INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VSO N-CH 30V 10ATrans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 10A 10.0 A

上升时间 7.7 ns 9 ns 7.70 ns

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 44 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 10.0 A

输入电容(Ciss) 1585pF @15V(Vds) - 1585pF @15V(Vds)

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.01 Ω - -

阈值电压 1 V - -

输入电容 1585 pF - -

漏源击穿电压 30 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -