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SI4410DY,518

SI4410DY,518

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SO N-CH 30V 10A

表面贴装型 N 通道 30 V 10A(Tj) 2.5W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R


SI4410DY,518中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 9 ns

额定功率Max 2.5 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4410DY,518引脚图与封装图
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SI4410DY,518 NXP 恩智浦 SO N-CH 30V 10A 搜索库存
替代型号SI4410DY,518
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI4410DY,518

品牌: NXP 恩智浦

封装: 8-SOIC N-CH 30V 10A

当前型号

SO N-CH 30V 10A

当前型号

型号: SI4410DYTRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel

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型号: SI4410DYPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC N-Channel 30V 10A

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型号: SI4384DY-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 8-SOIC N-Channel 30V 15A

功能相似

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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