IRF6668TR1PBF、IRF6668TRPBF对比区别

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型号 IRF6668TR1PBF IRF6668TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 80V 55AINFINEON  IRF6668TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

额定功率 89 W 89 W

通道数 - 1

针脚数 - 7

漏源极电阻 - 0.012 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2800 mW 89 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1320 pF

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 55A 55A

上升时间 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 1320pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.8 W

下降时间 23 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

长度 - 6.35 mm

宽度 - 5.05 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

高度 0.53 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17