IRF6668TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF6668TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 4 V
输入电容 1320 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1320pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Battery Operated Drive, Class D Audio
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF6668TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6668TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6668TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF6668TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |
替代型号IRF6668TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6668TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 80V 55A | 当前型号 | INFINEON IRF6668TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新 | 当前型号 |
| 型号： IRF6668TR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 80V 55A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 80V 55A | IRF6668TRPBF和IRF6668TR1PBF的区别 |
| 型号： 6668 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 55A ID, 80V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF6668TRPBF和6668的区别 |