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CA5260AM、LM358DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CA5260AM LM358DR

描述 3MHz的,采用BiMOS微处理器与MOSFET的输入运算放大器/ CMOS输出 3MHz, BiMOS Microprocessor Operational Amplifiers with MOSFET Input/CMOS OutputTEXAS INSTRUMENTS  LM358DR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 --

制造商 Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器)

分类 主动器件运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC SOIC-8

引脚数 - 8

封装 SOIC SOIC-8

长度 - 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm

高度 - 1.58 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2018/06/27

输出电流 - 30mA @15V

供电电流 - 1 mA

电路数 - 2

通道数 - 2

针脚数 - 8

共模抑制比 - 65 dB

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K

带宽 - 700 kHz

转换速率 - 300 mV/μs

增益频宽积 - 700 kHz

输入补偿电压 - 3 mV

输入偏置电流 - 20 nA

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

增益带宽 - 0.7 MHz

共模抑制比(Min) - 65 dB

工作温度 - 0℃ ~ 70℃