IRF5803、IRF5803PBF对比区别

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型号 IRF5803 IRF5803PBF

描述 TSOP P-CH 40V 3.4AP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 TSOP

引脚数 - 6

极性 P-CH P-CH

耗散功率 2W (Ta) -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 3.4A 3.4A

输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta) 1300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TSOT-23-6 TSOP

长度 - 3 mm

宽度 - 1.5 mm

高度 - 0.9 mm

产品生命周期 Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -