IRF5803
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF5803中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 3.4A
输入电容Ciss 1110pF @25VVds
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
其他
产品生命周期 Active
制造应用 DC Switches, Load Switch
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF5803引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF5803
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF5803 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TSOP P-CH 40V 3.4A | 当前型号 | TSOP P-CH 40V 3.4A | 当前型号 |
| 型号： IRF5803PBF 品牌： 英飞凌 封装： TSOP P-CH 40V 3.4A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 | IRF5803和IRF5803PBF的区别 |