NTGS5120PT1G、RSQ030P03TR、FDC655BN对比区别

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型号 NTGS5120PT1G RSQ030P03TR FDC655BN

描述 P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorP 通道 30 V 80 mΩ 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) - -30.0 V 30.0 V

额定电流 - -30.0 A 6.30 A

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.072 Ω 0.1 Ω 0.021 Ω

极性 P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 1.1 W 1.25W (Ta) 1.6 W

阈值电压 3 V - 1.9 V

输入电容 - - 570 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 60 V - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.90 A, -2.50 A 3.00 A 6.30 A

上升时间 4.9 ns 13 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 942pF @30V(Vds) 440pF @10V(Vds) 570pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 600 mW 1.25 W 800 mW

下降时间 12.8 ns 12 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.6 W

通道数 1 - -

长度 3.1 mm - 3 mm

宽度 1.5 mm - 1.7 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -