AUIRF7303Q、IRF7303QPBF、IRF7303PBF对比区别

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型号 AUIRF7303Q IRF7303QPBF IRF7303PBF

描述 SOIC N-CH 30V 5.3ASOIC N-CH 30V 4.9AINFINEON  IRF7303PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 0.05 Ω - 0.05 Ω

极性 N-CH N-CH Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 1 V - 1 V

输入电容 - - 520pF @25V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 4.9A 4.9A

上升时间 21 ns 21 ns 21 ns

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 515pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.4 W - 2 W

下降时间 7.7 ns 7.7 ns 7.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2400 mW 2000 mW 2 W

通道数 2 - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not For New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -