
额定功率 2 W
通道数 2
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.3A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 515pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AUIRF7303Q | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 5.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AUIRF7303Q 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-SOIC N-CH 30V 5.3A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 5.3A | 当前型号 | |
型号: AUIRF7303QTR 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC N-CH | 完全替代 | SOIC N-CH 30V 5.3A | AUIRF7303Q和AUIRF7303QTR的区别 | |
型号: IRF7303PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL Dual N-Channel 30V 4.9A | 类似代替 | INFINEON IRF7303PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V | AUIRF7303Q和IRF7303PBF的区别 | |
型号: IRF7303QPBF 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | SOIC N-CH 30V 4.9A | AUIRF7303Q和IRF7303QPBF的区别 |