IDT70T659S10BFI、IDT70V659S10BFG8对比区别

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型号 IDT70T659S10BFI IDT70V659S10BFG8

描述 HIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACEDual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

封装 FBGA-208 LFBGA

封装 FBGA-208 LFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 3A991 3A991

电源电压 2.4V ~ 2.6V -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -