电源电压 2.4V ~ 2.6V
封装 FBGA-208
封装 FBGA-208
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 3A991
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IDT70T659S10BFI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | HIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IDT70T659S10BFI 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: LFBGA | 当前型号 | HIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE | 当前型号 | |
型号: IDT70V659S10BFG8 品牌: 艾迪悌 封装: LFBGA | 功能相似 | Dual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 | IDT70T659S10BFI和IDT70V659S10BFG8的区别 | |
型号: IDT70V659S10BFG 品牌: 艾迪悌 封装: LFBGA | 功能相似 | Dual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 | IDT70T659S10BFI和IDT70V659S10BFG的区别 |