CY7C1414KV18-300BZI、CY7C1414KV18-300BZXI、CY7C1414KV18-300BZXC对比区别

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型号 CY7C1414KV18-300BZI CY7C1414KV18-300BZXI CY7C1414KV18-300BZXC

描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 36 36

存取时间 - - 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

时钟频率 - 300 MHz -

长度 - - 15 mm

宽度 - - 13 mm

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

ECCN代码 - 3A991 3A991.b.2.a