CY7C1414KV18-300BZI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1414KV18-300BZI

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CY7C1414KV18-300BZI中文资料参数规格

技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1414KV18-300BZI引脚图与封装图

CY7C1414KV18-300BZI引脚图

CY7C1414KV18-300BZI封装图

CY7C1414KV18-300BZI封装焊盘图

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CY7C1414KV18-300BZI	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture	搜索库存

替代型号CY7C1414KV18-300BZI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CY7C1414KV18-300BZI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯封装： 165-LBGA	当前型号	36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture	当前型号
型号： CY7C1414KV18-300BZXI 品牌：赛普拉斯封装： FBGA-165	完全替代	36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture	CY7C1414KV18-300BZI和CY7C1414KV18-300BZXI的区别
型号： CY7C1414KV18-300BZC 品牌：赛普拉斯封装： FBGA	功能相似	36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture	CY7C1414KV18-300BZI和CY7C1414KV18-300BZC的区别
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