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FM25L04B-GA、FM25L04B-GATR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM25L04B-GA FM25L04B-GATR

描述 F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。4KB的串行3V F-RAM存储器 4Kb Serial 3V F-RAM Memory

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2 mA -

针脚数 8 -

时钟频率 10 MHz -

存取时间(Max) 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

长度 4.98 mm -

宽度 3.987 mm -

高度 1.478 mm 1.48 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -