FM25L04B-GATR中文资料参数规格
技术参数
存取时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.48 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FM25L04B-GATR引脚图与封装图
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在线购买FM25L04B-GATR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FM25L04B-GATR | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 4KB的串行3V F-RAM存储器 4Kb Serial 3V F-RAM Memory | 搜索库存 |
替代型号FM25L04B-GATR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FM25L04B-GATR 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 4KB的串行3V F-RAM存储器 4Kb Serial 3V F-RAM Memory | 当前型号 |
| 型号： FM25L04B-GA 品牌： 赛普拉斯 封装： 8-SOIC | 完全替代 | F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。 | FM25L04B-GATR和FM25L04B-GA的区别 |
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| 型号： FM24CL04B-G 品牌： 赛普拉斯 封装： SOIC 500B 2.7V 8Pin | 类似代替 | CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24CL04B-G 芯片, 存储器, FRAM, 4K, I2C, 8SOIC | FM25L04B-GATR和FM24CL04B-G的区别 |