APT56M50L、IXFK55N50、IXFK48N50对比区别

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型号 APT56M50L IXFK55N50 IXFK48N50

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIXYS SEMICONDUCTOR  IXFK48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 56.0 A 55.0 A 48.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 90 mΩ 0.1 Ω

耗散功率 780 W 560 W 500 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 55.0 A 48.0 A

上升时间 45 ns 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 8800pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 45 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 780W (Tc) 625W (Tc) 500W (Tc)

输入电容 8.80 nF - -

栅电荷 220 nC - -

额定功率(Max) 780 W - 500 W

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

长度 26.49 mm - 19.96 mm

宽度 20.5 mm - 5.13 mm

高度 5.21 mm - 26.16 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 - - NLR