APT56M50L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT56M50L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 56.0 A
耗散功率 780 W
输入电容 8.80 nF
栅电荷 220 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 8800pF @25VVds
额定功率Max 780 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 780W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 26.49 mm
宽度 20.5 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT56M50L引脚图与封装图
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在线购买APT56M50L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT56M50L | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号APT56M50L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT56M50L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 500V 56A 8.8nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 |
| 型号： IXFK48N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 500V 48A 100mohms | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V | APT56M50L和IXFK48N50的区别 |
| 型号： IXFK55N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 500V 55A 90mΩ | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin3+Tab TO-264AA | APT56M50L和IXFK55N50的区别 |