RE1C002ZPTL、RZE002P02TL对比区别

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型号 RE1C002ZPTL RZE002P02TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 VRZE002P02TL 编带

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-416-3 SOT-416

极性 P-CH P-CH

耗散功率 150 mW 150mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A

上升时间 4 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 115pF @10V(Vds) 115pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 150 mW

下降时间 17 ns 17 ns

耗散功率(Max) 150mW (Ta) 150mW (Ta)

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.8 Ω -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOT-416-3 SOT-416

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

香港进出口证 - NLR

ECCN代码 EAR99 -