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RZE002P02TL

RZE002P02TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

RZE002P02TL 编带

RZE002P02 Series 20 V 1.2 Ohm 1.4 nC Surface Mount P-Channel MOSFET - EMT-3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3


立创商城:
P沟道 20V 200mA


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3


RZE002P02TL中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 150mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 115pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 17 ns

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

RZE002P02TL引脚图与封装图
RZE002P02TL引脚图

RZE002P02TL引脚图

RZE002P02TL封装图

RZE002P02TL封装图

RZE002P02TL封装焊盘图

RZE002P02TL封装焊盘图

在线购买RZE002P02TL
型号 制造商 描述 购买
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替代型号RZE002P02TL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RZE002P02TL

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SC-75 P-CH 20V 0.2A

当前型号

RZE002P02TL 编带

当前型号

型号: RE1C002ZPTL

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-416FL-3 P-CH 20V 0.2A

功能相似

晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V

RZE002P02TL和RE1C002ZPTL的区别