RZE002P02TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 150mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 115pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 17 ns
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
封装 SOT-416
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
RZE002P02TL引脚图
RZE002P02TL封装图
RZE002P02TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RZE002P02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RZE002P02TL 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RZE002P02TL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SC-75 P-CH 20V 0.2A | 当前型号 | RZE002P02TL 编带 | 当前型号 | |
型号: RE1C002ZPTL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-416FL-3 P-CH 20V 0.2A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V | RZE002P02TL和RE1C002ZPTL的区别 |