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APL502B2、APL502B2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APL502B2 APL502B2G

描述 线性MOSFET LINEAR MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 58A 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 T-MAX TO-247-3

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 58.0 A

耗散功率 - 730 W

输入电容 - 9.00 nF

漏源极电压(Vds) - 500 V

连续漏极电流(Ids) - 58.0 A

上升时间 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 7485pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 730 W

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 730000 mW 730W (Tc)

封装 T-MAX TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free