APL502B2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APL502B2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 58.0 A
耗散功率 730 W
输入电容 9.00 nF
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 58.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
额定功率Max 730 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 730W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APL502B2G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APL502B2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APL502B2G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 500V 58A 9nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 |
| 型号： APL502B2 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 线性MOSFET LINEAR MOSFET | APL502B2G和APL502B2的区别 |