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CLC5665IN、LM258ADR、TLC274CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CLC5665IN LM258ADR TLC274CDR

描述 OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 90MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, MDIP-8TEXAS INSTRUMENTS  LM258ADR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC274CDR.  芯片, 运算放大器, 1.7MHZ, 3.6V/US, SOIC-14, 整卷

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 14

封装 DIP SOIC-8 SOIC-14

电路数 1 2 4

转换速率 1.80 kV/μs 300 mV/μs 3.60 V/μs

输出电流 - 30mA @15V ≤30 mA

供电电流 - 1 mA 3.8 mA

通道数 - 2 4

针脚数 - 8 14

共模抑制比 - 70 dB 65 dB

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K 1.80 µV/K

带宽 - 700 kHz 1.7 MHz

增益频宽积 - 700 kHz 1.7 MHz

输入补偿电压 - 2 mV 1.1 mV

输入偏置电流 - 20 nA 0.7 pA

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -25 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 0.7 MHz 2.2 MHz

共模抑制比(Min) - 70 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 30V 3V ~ 16V

工作电压 - - 3V ~ 16V

耗散功率 - - 0.95 W

耗散功率(Max) - - 950 mW

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 DIP SOIC-8 SOIC-14

长度 - 4.9 mm 8.65 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

工作温度 - -25℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

香港进出口证 - NLR -