STS11NF30L、PHK12NQ03LT,518、FDS8878对比区别

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型号 STS11NF30L PHK12NQ03LT,518 FDS8878

描述 N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.0085 Ω 0.0089 Ω 0.011 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1 V 2 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.8 A 10.2 A

上升时间 39 ns 11.7 ns 29.0 ns

输入电容(Ciss) 1440pF @25V(Vds) 1335pF @16V(Vds) 897pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 16 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 11.0 A - 10.2 A

针脚数 - - 8

输入电容 - - 897 pF

栅电荷 - - 17.0 nC

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±18.0 V - ±20.0 V

额定功率 2.5 W - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99