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FDS8878

FDS8878

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 10.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS8878 系列 N 沟道 30 V 14 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  MOSFET Transistor, N Channel, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V


力源芯城:
30V,10.2A,17mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC


FDS8878中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 10.2 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 897 pF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.2 A

上升时间 29.0 ns

输入电容Ciss 897pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8878引脚图与封装图
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在线购买FDS8878
型号 制造商 描述 购买
FDS8878 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FDS8878
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDS8878

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SOIC N-Channel 30V 10.2A 14mohms 897pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号： FDS6614A

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOIC N-Channel 30V 9.3A 18mohms 1.16nF

类似代替

N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FDS8878和FDS6614A的区别

型号： SI4410DYTRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel

功能相似

INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

FDS8878和SI4410DYTRPBF的区别

型号： STS11NF30L

品牌： 意法半导体

封装： SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FDS8878和STS11NF30L的区别