BUK762R9-40E、SUM110N04-2M1P-E3对比区别
型号 BUK762R9-40E SUM110N04-2M1P-E3
描述 NXP BUK762R9-40E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2400 µohm, 10 V, 3 VVISHAY SUM110N04-2M1P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3
封装 TO-263 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0024 Ω 1.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 234 W 312 W
阈值电压 3 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
连续漏极电流(Ids) - 11.0 A
封装 TO-263 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Unknown -
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
含铅标准 - Lead Free