
SUM110N04-2M1P-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 312 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SUM110N04-2M1P-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUM110N04-2M1P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |