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BAW56LT1G、BAW56LT3G、BAW56-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAW56LT1G BAW56LT3G BAW56-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAW56LT1G..  二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAON SEMICONDUCTOR  BAW56LT3G  二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 kV, 6 ns, 4 A 新二极管 - 通用,功率,开关

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V 75.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 50.0 mA

电容 2.00 pF - 2.00 pF

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.25 V

耗散功率 300 mW 225 mW 350 mW

反向恢复时间 6 ns 6 ns 4 ns

正向电流 200 mA 200 mA 0.3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 4 A 2 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25V @150mA

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 300 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 350 mW

额定功率 - - 350 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm 3.05 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99