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CC1110F16RSPR、CC1110F8RSP、CC1110F32RSPR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CC1110F16RSPR CC1110F8RSP CC1110F32RSPR

描述 低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器,低于1GHz的射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory, Sub-1 GHz RF Transceiver, and USB Controller低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器,低于1GHz的射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory, Sub-1 GHz RF Transceiver, and USB Controller低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器,低于1GHz的射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory, Sub-1 GHz RF Transceiver, and USB Controller

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 RF射频器件RF射频器件RF射频器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 36 20 36

封装 QFN-36 QFN-36 QFN-36

频率 300MHz ~ 348MHz,391MHz ~ 464MHz,782MHz ~ 928MHz 300MHz ~ 348MHz,391MHz ~ 464MHz,782MHz ~ 928MHz 300MHz ~ 348MHz,391MHz ~ 464MHz,782MHz ~ 928MHz

电源电压(DC) 2.00V (min) 2.00V (min) 2.00V (min)

RAM大小 2 KB 1024 B 4 KB

数据速率 500 kbps 500 kbps 500 kbps

FLASH内存容量 16384 B 8192 B 32768 B

输出功率 10 dBm 10 dBm 10 dBm

待机电流 300 nA 300 nA 300 nA

天线接线 Differential Differential Differential

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V

带宽 - - 58 kHz

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2 V

高度 0.86 mm - -

封装 QFN-36 QFN-36 QFN-36

长度 - - 6 mm

宽度 - - 6 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR NLR NLR

ECCN代码 - - 5A002A1A