IRG4PF50WD-201P、IXGH28N90B对比区别

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型号 IRG4PF50WD-201P IXGH28N90B

描述 Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247ACTrans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

击穿电压(集电极-发射极) 900 V 900 V

反向恢复时间 90 ns -

额定功率(Max) 200 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW

耗散功率 - 200000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.26 mm

宽度 - 5.3 mm

高度 - 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free