IRG4PF50WD-201P
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4PF50WD-201P中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 900 V
反向恢复时间 90 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRG4PF50WD-201P引脚图与封装图
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在线购买IRG4PF50WD-201P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4PF50WD-201P | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin3+Tab TO-247AC | 搜索库存 |
替代型号IRG4PF50WD-201P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4PF50WD-201P 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin3+Tab TO-247AC | 当前型号 |
| 型号： IXGH28N90B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 200000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | IRG4PF50WD-201P和IXGH28N90B的区别 |