AO7600、FDG6332C_F085、FDG6332C对比区别

高亮显示差异参数

型号 AO7600 FDG6332C_F085 FDG6332C

描述 20V/0.9A,-20V/-0.6A,N/P沟道互补MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电流 - - 700 mA

针脚数 - 6 6

漏源极电阻 - 0.18 Ω 0.18 Ω

极性 N+P N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 0.3 W 300 mW 300 mW

阈值电压 - 1.1 V 1.1 V

输入电容 - - 114 pF

栅电荷 - - 1.40 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - ±20.0 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.9A/0.6A 0.7A/0.6A 700 mA

上升时间 - - 14.0 ns

输入电容(Ciss) 120pF @10V(Vds) 113pF @10V(Vds) 113pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 0.3 W 0.3 W

额定功率 0.19 W - -

长度 - 2 mm 2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.25 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99