额定功率 0.19 W
极性 N+P
耗散功率 0.3 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.9A/0.6A
输入电容Ciss 120pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AO7600 | Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 20V/0.9A,-20V/-0.6A,N/P沟道互补MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AO7600 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: 6-TSSOP N+P 20V 0.9A 0.6A | 当前型号 | 20V/0.9A,-20V/-0.6A,N/P沟道互补MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDG6332C_F085 品牌: 飞兆/仙童 封装: 6-TSSOP N-Channel 20V 0.7A/0.6A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6332C_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V | AO7600和FDG6332C_F085的区别 |