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BCR119F、BCR135F、DTC114YET1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR119F BCR135F DTC114YET1

描述 NPN硅晶体管数字 NPN silicon Digital TransistorNPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorDTC114YET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k sot-523 marking/标记 BD

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 PG-TSFP-3 PG-TSFP-3 SC-75-3

安装方式 - - Surface Mount

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

耗散功率 - - 0.2 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) - - 200 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 PG-TSFP-3 PG-TSFP-3 SC-75-3

长度 - - 1.6 mm

宽度 - - 0.8 mm

高度 - - 0.75 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead