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BSP125、BSP135、BSP125 L6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP125 BSP135 BSP125 L6327

描述 INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSP125 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 120 mA

针脚数 4 - 4

漏源极电阻 45 Ω - 25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W - 1.8 W

阈值电压 1.9 V - 1.9 V

输入电容 - - 150 pF

栅电荷 - - 6.60 nC

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 120 mA - 120 mA

上升时间 - 5.6 ns 14.4 ns

输入电容(Ciss) - 98pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.8 W

下降时间 - 5.6 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.8 W 1800 mW

工作结温(Max) 150 ℃ - -

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.6 mm -

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -