锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N3735、JAN2N3735L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3735 JAN2N3735L

描述 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORTrans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-5

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-205 TO-5

引脚数 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @1A, 1.5V 20 @1A, 1.5V

额定功率(Max) 1 W 1 W

耗散功率 1000 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW -

增益频宽积 - -

最大电流放大倍数(hFE) - -

封装 TO-205 TO-5

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -