JAN2N3735L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3735L中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3735L引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3735L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3735L | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-5 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3735L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3735L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-5 | 当前型号 |
| 型号： 2N3735 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 类似代替 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N3735L和2N3735的区别 |
| 型号： JANTX2N3700 品牌： 美高森美 封装： TO-206AA 0.5W | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JAN2N3735L和JANTX2N3700的区别 |