STP10NK60ZFP、STP8NM60FP、FQPF12N60T对比区别

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型号 STP10NK60ZFP STP8NM60FP FQPF12N60T

描述 STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 650 V 600 V

额定电流 10.0 A 8.00 A 10.5 A

漏源极电阻 0.65 Ω 1.00 Ω 700 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 30W (Tc) 55 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 8.00 A 5.80 A

上升时间 20 ns 10 ns 115 ns

输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 30 W 55 W

下降时间 30 ns 10 ns 85 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 30W (Tc) 55W (Tc)

额定功率 35 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 3.75 V - -

输入电容 1370 pF - 1.90 nF

栅电荷 - - 54.0 nC

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.67 mm

宽度 4.6 mm - 4.7 mm

高度 9.3 mm - 16.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99