APT30GP60BDQ1、APT30GP60BDQ1G、GP60对比区别

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型号 APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G GP60

描述 IGBT 600V 100A 463W TO247Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

耗散功率(Max) 463 W 463000 mW -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 30 A -

耗散功率 - 463000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

额定功率(Max) - 463 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -