STE110NS20FD、STE70NM50、BSP100-TAPE-13对比区别

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型号 STE110NS20FD STE70NM50 BSP100-TAPE-13

描述 N沟道200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 VTRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 4 4 -

封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 -

额定电压(DC) 200 V 500 V -

额定电流 110 A 70.0 A -

额定功率 - 600 W -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 24.0 mΩ 45 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 500 W 600 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 500 V -

漏源击穿电压 200 V 500 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 110 A 30.0 A -

上升时间 130 ns 58 ns -

输入电容(Ciss) 7900pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 500 W 600 W -

下降时间 140 ns 46 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 600W (Tc) -

长度 38.2 mm 38.2 mm -

宽度 25.5 mm 25.5 mm -

高度 9.1 mm 9.1 mm -

封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -