STE110NS20FD中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 110 A
漏源极电阻 24.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 7900pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 140 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 ISOTOP-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.5 mm
高度 9.1 mm
封装 ISOTOP-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STE110NS20FD引脚图与封装图
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在线购买STE110NS20FD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STE110NS20FD | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STE110NS20FD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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