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2N2605、JANTX2N2605、JANTXV2N2605对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2605 JANTX2N2605 JANTXV2N2605

描述 PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-46-3 TO-46 -

耗散功率 0.4 W 0.4 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V -

额定功率(Max) 400 mW 400 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

封装 TO-46-3 TO-46 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -